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微纳电子学研究院5篇研究论文在IEDM 2016大会发表

日前,以微纳电子学研究院为第一作者单位的5篇论文在美国电气电子工程师学会(IEEE)电子器件大会(IEDM 2016)上发表。北大是IEDM 2016接收来自中国论文最多的单位,也是北大连续第10年在IEDM发表论文,表明我校在微纳电子器件领域的研究水平持续保持在国际前沿之列。

这几篇论文的内容包括:发现了新型隧穿晶体管的电介击穿可靠性的新特性及其机理,同时提出并验证了基于新结构器件的改进方案,为实现高可靠的超低功耗晶体管技术的产业应用奠定了重要基础(第一作者:黄芊芊博士后,合作导师:黄如院士);16/14纳米及以下工艺节点FinFET新技术的随机涨落机制与模型表征、及其亚0.2V超低电压应用的近阈值电路设计研究(第一作者:蒋晓波博士生,指导教师:王润声副教授、黄如院士);纳米尺度晶体管的导电沟道渗流理论、模型与实验表征研究(第一作者:张喆博士生,指导教师:王润声副教授、黄如院士);新型半导体存储介质的存储机制微观模拟和面向性能优化的建模(第一作者:赵钰迪博士生,指导教师:黄鹏博士后、康晋锋教授);三五族化合物半导体纳米线晶体管的栅介质可靠性研究(第一作者:李云博士生,指导教师:刘晓彦教授)。其中,赵钰迪的工作还被组委会列为大会亮点之一。

以上论文的相关研究工作得到了国家自然基金创新研究群体、国家“863计划”、基金委优秀青年基金等项目的资助,以及“微纳电子与集成系统协同创新中心”、“北京大学微米/纳米加工技术国家级重点实验室”等机构的支持。

 

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具有六十多年历史的IEDM是微电子器件领域的顶级会议,在国际半导体技术界享有很高的学术地位和广泛的影响力,被外媒誉为“微电子器件领域的奥林匹克盛会”。该会议主要报道国际半导体技术方面的最新研究进展,是著名高校、研发机构和英特尔、IBM等企业报告其最新研究成果和技术突破的主要窗口和平台之一。近年来,集成电路技术领域的许多重大技术突破都是通过该会议正式发布的。