师资力量

张大成

职称:教授

研究领域:微电子机械系统(MEMS)和集成电路芯片加工技术

办公电话:86-010-62753131

电子邮件:dchzhang@ime.pku.edu.cn

科研/教育经历

    19799月,北京工业大学半导体器件专业,19847月毕业,获学士学位

    2000年和2005年在北京大学分别获微电子学与固体电子学硕士和博士学位

    1987年北京市半导体器件三厂国内首条进口集成电路生产线主任工程师

    1993年起在北京大学从事教学科作,1998年起微纳电子学所//系副主任

主要研究方向

    基于标准工艺的微纳结构拉伸/弯曲/剪切/冲击断裂强度片上试验方法;

    CMOS-MEMS集成化工艺方法;

    单项工艺、压阻/键合深刻蚀释放(SOG)MEMS芯片标准工艺能力拓展

研究成果概况

    “硅基MEMS加工技术及应用研究”2006年国家发明二等奖,2003年北京市科技进步一等奖;

    “高效单面加工MEMS规模制造关键技术”2020年上海市发明一等奖;

    中国MEMS领域首个IEC标准“微结构键合强度检测方法”(62047-25

    2017IEC 1906(杰出贡献专家)奖(当年国内专家获奖率≤1/800

    国内迄今仅有两个CMOS-MEMS集成化工艺研发项目负责人

    微电子工艺实验污染控制≤1ppm,实现MOSFETMEMS芯片共线研制,“在美国大学还没有类似的设施可与之媲美”(耶鲁校长、理查德莱文,2005-12-15《新闻周刊》“来自中国的挑战”)

    国内首次实现原创SOG标准工艺技术产业化转移

    行业内首个压阻芯片“机电工艺”实现压力计芯片规模制造的设计即所得

    系列片上试验机不需要精密仪器辅助就可实现了微结构键合、拉伸、弯曲、冲击断裂强度的量化检测,在工艺质量监控和MEMS芯片结构设计中得到应用

    国际上首次报道采用电子束光刻加硅刻蚀技术制造7nm宽,350nm高的,深宽比超过50:1的纳尺度硅结构制造技术